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首页 全部分类 IXFH20N80P vs SPW20N60C3FKSA1

IXFH20N80P备选型号: SPW20N60C3FKSA1

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 表面安装
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFH20N80P
    IXYS
    MOSFET N-CH 800V 20A TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    20A Tc
    2006
    HiPerFET™, PolarHT™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    500W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    520m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 4mA
    4685pF @ 25V
    86nC @ 10V
    24ns
    ±30V
    24 ns
    20A
    TO-247AD
    30V
    0.52Ohm
    800V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW20N60C3FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    40 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1
    2005
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    3
    R-PSFM-T3
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    -
    190m Ω @ 13.1A, 10V
    3.9V @ 1mA
    2400pF @ 25V
    114nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-247AD
    -
    0.19Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    NO
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    650V
    20.7A
    62.1A
    600V
    690 mJ
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