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首页 全部分类 IXFH26N60P vs FCH20N60

IXFH26N60P备选型号: FCH20N60

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • IXYS
    IXFH26N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    26A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    460W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 4mA
    4150pF @ 25V
    72nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    26A
    TO-247AD
    30V
    0.27Ohm
    600V
    65A
    1200 mJ
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    FCH20N60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    600V
    -
    20A
    -
    -
    -
    Single
    -
    208W
    -
    -
    N-Channel
    -
    190m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    3080pF @ 25V
    98nC @ 10V
    140ns
    ±30V
    65 ns
    20A
    -
    30V
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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