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首页 全部分类 IXFH30N60P vs STW43NM60ND

IXFH30N60P备选型号: STW43NM60ND

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXFH30N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    600V
    30A
    3
    Single
    增强型MOSFET
    500W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 15A, 10V
    5V @ 4mA
    4000pF @ 25V
    82nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    25 ns
    30A
    TO-247AD
    30V
    0.24Ohm
    600V
    80A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW43NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    35A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    255W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    88m Ω @ 17.5A, 10V
    5V @ 250μA
    4300pF @ 50V
    145nC @ 10V
    40ns
    ±25V
    50 ns
    35A
    -
    25V
    -
    600V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    88mOhm
    STW43N
    30 ns
    4V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
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