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首页 全部分类 IXFH30N60Q vs FCH170N60

IXFH30N60Q备选型号: FCH170N60

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  • 箱体转运
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXFH30N60Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    500W
    DRAIN
    N-Channel
    230m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 4mA
    4700pF @ 25V
    125nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    16 ns
    30A
    TO-247AD
    20V
    600V
    120A
    1500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH170N60
    ON Semiconductor
    MOSFET SuperFET2 600V, 170mohm
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    170m Ω @ 11A, 10V
    3.5V @ 250μA
    2860pF @ 380V
    55nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    3.8 ns
    22A
    TO-247AB
    30V
    600V
    66A
    525 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    12 Weeks
    6.39g
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    1
    21 ns
    SWITCHING
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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