ROHM Semiconductor R6025FNZ1C9

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2016

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 12.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

25A

漏极-源极导通最大电阻

0.18Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

42.1 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant