IXFH50N60P3备选型号: R6035ENZ1C9
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- Mosfet Transistor, N Channel, 50 A, 600 V, 0.16 Ohm, 10 V, 5 V Rohs Compliant: Yes30 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2012活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定未说明unknown未说明3不合格Single增强型MOSFET1.04kWDRAIN31 nsN-ChannelSWITCHING145m Ω @ 500mA, 10V5V @ 4mA6300pF @ 25V94nC @ 10V20ns±30V17 ns50A5VTO-247AD30V0.145Ohm600V125A1000 mJ21.46mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 600V 35A TO24710 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON35A Tc150°C TJTube-2014最后一次购买1 (Unlimited)3--未说明-未说明---增强型MOSFET---N-ChannelSWITCHING102m Ω @ 18.1A, 10V4V @ 1mA2720pF @ 25V110nC @ 10V-±20V-35A4V--0.102Ohm-105A796 mJ---无SVHCROHS3 Compliant-SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE600V600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STW35N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW35N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
![]() | STW33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
| R6035ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247 | 对比 |




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