IXFH6N100Q备选型号: STW7N105K5

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 配置
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.9 Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 2.5mA
    2200pF @ 25V
    48nC @ 10V
    15ns
    1000V
    ±20V
    12 ns
    6A
    20V
    6A
    2Ohm
    1kV
    24A
    700 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH5™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 100μA
    380pF @ 100V
    17nC @ 10V
    -
    1050V
    ±30V
    -
    4A
    -
    4A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW7N
    Single
    无铅
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