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首页 全部分类 IXFH75N10 vs IRFP4410ZPBF

IXFH75N10备选型号: IRFP4410ZPBF

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  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXFH75N10
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2000
    e1
    yes
    不用于新设计
    不适用
    3
    EAR99
    20MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    100V
    75A
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 37.5A, 10V
    4V @ 4mA
    4500pF @ 25V
    260nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    60 ns
    75A
    4V
    20V
    100V
    100V
    4 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4410ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    97A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    4820pF @ 50V
    120nC @ 10V
    52ns
    ±20V
    57 ns
    97A
    4V
    20V
    100V
    100V
    4 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    16 ns
    TO-247AC
    0.009Ohm
    242 mJ
    57 ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
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