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首页 全部分类 IXFH88N30P vs IPW65R037C6FKSA1

IXFH88N30P备选型号: IPW65R037C6FKSA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 最大双电源电压
  • IXYS
    IXFH88N30P
    IXYS
    MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    88A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    600W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 44A, 10V
    5V @ 4mA
    6300pF @ 25V
    180nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    25 ns
    88A
    5V
    TO-247AD
    20V
    0.04Ohm
    300V
    220A
    2000 mJ
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R037C6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C6
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    500W
    -
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    37m Ω @ 33.1A, 10V
    3.5V @ 3.3mA
    7240pF @ 100V
    330nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    7 ns
    83.2A
    -
    -
    20V
    -
    -
    297A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    650V
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