IXFH94N30P3备选型号: STW120NF10

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXFH94N30P3MOSFET Transistor, N Channel, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    94A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 47A, 10V
    5V @ 4mA
    5510pF @ 25V
    102nC @ 10V
    300V
    ±20V
    94A
    5V
    TO-247AD
    20V
    2500 mJ
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    5200pF @ 25V
    233nC @ 10V
    -
    ±20V
    110A
    4V
    -
    20V
    550 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    e3
    10.5mOhm
    Tin (Sn)
    100V
    120A
    STW120
    3
    312W
    90ns
    68 ns
    100V
    440A
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