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首页 全部分类 IXFK240N15T2 vs 2SC5200OTU

IXFK240N15T2备选型号: 2SC5200OTU

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  • 操作模式
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 驱动器数量
  • RoHS状态
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  • 最大功率耗散
  • 频率
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFK240N15T2
    IXYS
    Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GigaMOS™
    2007
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    150V
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    120A
    增强型MOSFET
    240A
    DRAIN
    125 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 60A, 10V
    5V @ 8mA
    32000pF @ 25V
    460nC @ 10V
    125ns
    ±20V
    145 ns
    240A
    0.0052Ohm
    600A
    2000 mJ
    1
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SC5200OTU
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3 Tab) TO-264 Tube
    2 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    250V
    -50°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    3
    6.756g
    150W
    30MHz
    2SC5200
    Single
    150W
    30MHz
    NPN
    NPN
    250V
    17A
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    30MHz
    250V
    5V
    无SVHC
    无
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NJL1302DG NJL1302DG ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-264-5 Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V 对比