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IXFK24N100F备选型号: SPW17N80C3FKSA1
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
IXYS RF IXFK24N100F RF FET Transistor, 1 kV, 24 A, 560 W, 500 kHz, TO-26410 Weeks通孔TO-264-3, TO-264AANO3SILICON24A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerRF™2003yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET560WDRAINN-ChannelSWITCHING390m Ω @ 12A, 10V5.5V @ 8mA6600pF @ 25V195nC @ 10V18ns1000V±20V11 ns24A20V1kV96A无SVHC符合RoHS标准---------
MOSFET N-CH 800V 17A TO-24718 Weeks通孔TO-247-3NO-SILICON17A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yes活跃1 (Unlimited)3-AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE未说明未说明3不合格-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING290m Ω @ 11A, 10V3.9V @ 1mA2320pF @ 25V177nC @ 10V-800V±20V----51A-ROHS3 Compliante3Tin (Sn)SINGLER-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE17A0.29Ohm800V670 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | 对比 |
 | STP20N95K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A SuperMESH 5 | 对比 |
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