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首页 全部分类 IXFK24N100Q3 vs FGL40N120ANDTU

IXFK24N100Q3备选型号: FGL40N120ANDTU

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  • 输入类型
  • 极性/通道类型
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  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFK24N100Q3
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    1kW
    DRAIN
    38 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    440m Ω @ 12A, 10V
    6.5V @ 4mA
    7200pF @ 25V
    140nC @ 10V
    300ns
    1000V
    ±30V
    24A
    30V
    0.44Ohm
    1kV
    60A
    2000 mJ
    26.16mm
    19.96mm
    5.13mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL40N120ANDTU
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    Single
    -
    500W
    -
    15 ns
    -
    电源控制
    -
    -
    -
    -
    20ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    29mm
    20mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    6.756g
    3.15V
    e3
    yes
    8541.29.00.95
    1.2kV
    500W
    64A
    Standard
    N-CHANNEL
    1.2kV
    64A
    112 ns
    1200V
    45 ns
    3.2V @ 15V, 40A
    150°C
    64A
    165 ns
    NPT
    220nC
    160A
    15ns/110ns
    2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
    无
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