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首页 全部分类 IXFK24N100Q3 vs NJL1302DG

IXFK24N100Q3备选型号: NJL1302DG

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  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
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  • 额定电流
  • 频率
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  • 极性
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFK24N100Q3
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    1kW
    DRAIN
    38 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    440m Ω @ 12A, 10V
    6.5V @ 4mA
    7200pF @ 25V
    140nC @ 10V
    300ns
    1000V
    ±30V
    24A
    30V
    0.44Ohm
    1kV
    60A
    2000 mJ
    26.16mm
    19.96mm
    5.13mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    NJL1302DG
    ON Semiconductor
    Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-5
    5
    SILICON
    260V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    5
    Single
    -
    200W
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    25.98mm
    19.89mm
    4.89mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    3V
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    -260V
    200W
    260
    -15A
    30MHz
    40
    PNP
    30MHz
    PNP + Diode (Isolated)
    260V
    15A
    75 @ 5A 5V
    50μA ICBO
    3V @ 1A, 10A
    30MHz
    260V
    5V
    无SVHC
    无
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