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首页 全部分类 IXFK360N10T vs NTY100N10

IXFK360N10T备选型号: NTY100N10

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  • 引脚数量
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • IXYS
    IXFK360N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
    30 Weeks
    TO-264-3, TO-264AA
    通孔
    通孔
    SILICON
    1250W Tc
    2011
    GigaMOS™ HiPerFET™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.9m Ω @ 100A, 10V
    5V @ 3mA
    33000pF @ 25V
    525nC @ 10V
    100V
    ±20V
    360A
    0.0029Ohm
    900A
    100V
    3000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    -
    TO-264-3, TO-264AA
    通孔
    通孔
    SILICON
    313W Tc
    2006
    -
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    -
    -
    240
    not_compliant
    30
    3
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    350nC @ 10V
    -
    ±20V
    123A
    0.01Ohm
    -
    -
    500 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    3
    100V
    123A
    Single
    313W
    150ns
    250 ns
    20V
    100V
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NTY100N10G NTY100N10G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-264-3, TO-264AA MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 对比