IXYS IXFK360N10T

工厂交货时间

30 Weeks

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1250W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

360A Tc

已出版

2011

系列

GigaMOS™ HiPerFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.9m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

33000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

525nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

360A

漏极-源极导通最大电阻

0.0029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

900A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅