您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXFP10N60P vs FDP12N50NZ

IXFP10N60P备选型号: FDP12N50NZ

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFP10N60P
    IXYS
    MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2004
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    740MOhm
    Pure Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    10A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    740m Ω @ 5A, 10V
    5.5V @ 1mA
    1610pF @ 25V
    32nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    10A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    600V
    25A
    500 mJ
    9.15mm
    10.66mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N50NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    -
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    520m Ω @ 5.75A, 10V
    5V @ 250μA
    1235pF @ 25V
    30nC @ 10V
    50ns
    ±25V
    45 ns
    11.5A
    -
    TO-220AB
    25V
    500V
    46A
    560 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    1.8g
    e3
    0.52Ohm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDP12N50NZ FDP12N50NZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II 对比
STP13NK60Z STP13NK60Z STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 对比