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首页 全部分类 IXFP10N80P vs STP10NK80Z

IXFP10N80P备选型号: STP10NK80Z

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFP10N80P
    IXYS
    MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1 Ω @ 5A, 10V
    5.5V @ 2.5mA
    2050pF @ 25V
    40nC @ 10V
    22ns
    ±30V
    22 ns
    10A
    TO-220AB
    30V
    800V
    600 mJ
    9.15mm
    10.66mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP10NK80Z
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    -
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 100μA
    2180pF @ 25V
    72nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    17 ns
    9A
    TO-220AB
    30V
    800V
    290 mJ
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    e3
    EAR99
    900mOhm
    Matte Tin (Sn)
    800V
    9A
    STP10
    3.75V
    9A
    无SVHC
    无
    无铅
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