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首页 全部分类 IXFP110N15T2 vs FDP075N15A-F102

IXFP110N15T2备选型号: FDP075N15A-F102

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 电阻
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFP110N15T2
    IXYS
    MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    480W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 55A, 10V
    4.5V @ 250μA
    8600pF @ 25V
    150nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    18 ns
    110A
    TO-220AB
    4.5V
    150V
    800 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP075N15A-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    333W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 250μA
    7350pF @ 75V
    100nC @ 10V
    37ns
    ±20V
    21 ns
    130A
    TO-220AB
    20V
    150V
    588 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    1.8g
    6.25MOhm
    1
    28 ns
    522A
    175°C
    19.85mm
    10.36mm
    4.672mm
    无
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