ON Semiconductor FDP075N15A-F102
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FDP075N15A-F102
1807-FDP075N15A-F102
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
--最小包装量--
FDP075N15A-F102详情
ON Semiconductor FDP075N15A-F102重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
333W Tc
Turn Off Delay Time
62 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
6.25MOhm
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
333W
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7350pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
上升时间
37ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
130A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
522A
雪崩能量等级(Eas)
588 mJ
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
19.85mm
长度
10.36mm
宽度
4.672mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDP075N15A-F102拓展信息
ON Semiconductor
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