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首页 全部分类 IXFP130N10T2 vs FDPF085N10A

IXFP130N10T2备选型号: FDPF085N10A

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFP130N10T2
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 65A, 10V
    4.5V @ 1mA
    6600pF @ 25V
    130nC @ 10V
    100V
    ±20V
    130A
    TO-220AB
    0.0091Ohm
    300A
    100V
    800 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF085N10A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2695pF @ 50V
    40nC @ 10V
    -
    ±20V
    40A
    TO-220AB
    0.0085Ohm
    -
    -
    269 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    3
    2.27g
    e3
    Tin (Sn)
    Single
    33.3W
    18 ns
    22ns
    8 ns
    20V
    100V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
    无铅
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