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首页 全部分类 IXFP20N85X vs FQA24N60

IXFP20N85X备选型号: FQA24N60

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  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXFP20N85X
    IXYS
    850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    20A Tc
    5.5V @ 2.5mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2016
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    330m Ω @ 500mA, 10V
    1660pF @ 25V
    63nC @ 10V
    850V
    ±30V
    20A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQA24N60
    ON Semiconductor
    Transistor: unipolar, N-MOSFET; 600V; 23.5A; 310W; TO3P
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    23.5A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    240m Ω @ 11.8A, 10V
    5500pF @ 25V
    145nC @ 10V
    -
    ±30V
    23.5A
    ROHS3 Compliant
    3
    6.401g
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    未说明
    23.5A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    90 ns
    SWITCHING
    270ns
    170 ns
    5V
    30V
    0.24Ohm
    600V
    94A
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
    无铅
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