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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.26764
10
¥15.34683
100
¥14.478141
500
¥13.658624
1000
¥12.885494
Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA2
- 收藏
- 对比
IPA80R310CEXKSA2
1211-IPA80R310CEXKSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 800V TO-220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA80R310CEXKSA2详情
Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
35W Tc
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
310m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1mA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2320pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
91nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
16.7A
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大双电源电压
800V
漏极-源极导通最大电阻
0.31Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
51A
雪崩能量等级(Eas)
670 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPA80R310CEXKSA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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