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首页 全部分类 IXFP4N60P3 vs FQP5N60C

IXFP4N60P3备选型号: FQP5N60C

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFP4N60P3
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
    24 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    365pF @ 25V
    6.9nC @ 10V
    600V
    ±30V
    4A
    TO-220AB
    30V
    4A
    8A
    600V
    200 mJ
    16mm
    10.66mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP5N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 2.25A, 10V
    4V @ 250μA
    670pF @ 25V
    19nC @ 10V
    -
    ±30V
    4.5A
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    EAR99
    2.5Ohm
    Tin (Sn)
    600V
    4.5A
    100W
    42ns
    46 ns
    4V
    600V
    无SVHC
    无
    无铅
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FQP3N60 FQP3N60 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 对比