IXYS IXFP4N60P3

工厂交货时间

24 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

114W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, Polar3™

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

365pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

高度

16mm

长度

10.66mm

宽度

4.83mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant