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首页 全部分类 IXFP5N100P vs SPP06N80C3XKSA1

IXFP5N100P备选型号: SPP06N80C3XKSA1

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  • 包装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXFP5N100P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 500mA, 10V
    6V @ 250μA
    1830pF @ 25V
    33.4nC @ 10V
    1000V
    ±30V
    5A
    TO-220AB
    30V
    5A
    1kV
    300 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPP06N80C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    18 Weeks
    -
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    3
    R-PSFM-T3
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 3.8A, 10V
    3.9V @ 250μA
    785pF @ 100V
    41nC @ 10V
    800V
    ±20V
    -
    TO-220AB
    -
    6A
    -
    230 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.9Ohm
    18A
    800V
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