IXFP5N100PM备选型号: STP3N80K5

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    2.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.8 Ω @ 2.5A, 10V
    6V @ 250μA
    1830pF @ 25V
    33.4nC @ 10V
    1000V
    ±30V
    2.3A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH5™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    3.5 Ω @ 1A, 10V
    5V @ 100μA
    130pF @ 100V
    9.5nC @ 10V
    800V
    -
    2.5A
    ROHS3 Compliant
    NRND (Last Updated: 7 months ago)
    3
    329.988449mg
    SILICON
    3
    EAR99
    STP3N
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.5 ns
    SWITCHING
    7.5ns
    25 ns
    TO-220AB
    30V
    800V
    65 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无铅
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