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首页 全部分类 IXFP6N120P vs TK7A90E,S4X

IXFP6N120P备选型号: TK7A90E,S4X

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 元素配置
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • IXYS
    IXFP6N120P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4 Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 1mA
    2830pF @ 25V
    92nC @ 10V
    1200V
    ±30V
    6A
    TO-220AB
    6A
    0.0024Ohm
    18A
    1200V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK7A90E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    -
    7A Ta
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2Ohm @ 3.5A, 10V
    4V @ 700μA
    1350pF @ 25V
    32nC @ 10V
    900V
    ±30V
    7A
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    TO-220SIS
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    55 ns
    20ns
    15 ns
    30V
    1.35nF
    1.6Ohm
    2 Ω
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