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IXFQ14N80P备选型号: 2SK4125
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- HTS代码
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P24 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON14A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, PolarHT™2006e3yes活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET400WDRAINN-ChannelSWITCHING720m Ω @ 500mA, 10V5.5V @ 4mA3900pF @ 25V61nC @ 10V±30V14A0.72Ohm800V500 mJROHS3 Compliant-------
MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB-通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON17A Ta150°C TJTray-2007--Obsolete1 (Unlimited)3Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)HIGH RELIABILITY--3-Single增强型MOSFET2.5W-N-ChannelSWITCHING610m Ω @ 7A, 10V-1200pF @ 30V46nC @ 10V±30V17A0.61Ohm600V86.5 mJ符合RoHS标准8541.29.00.9526.5 ns82ns52 ns30V52A无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCP650N80Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP650N80Z Power MOSFET, N Channel, 10 A, 800 V, 0.53 ohm, 10 V, 4.5 VNew | 对比 |
 | R8010ANX | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | 对比 |
| 2SK4125 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB | 对比 |
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