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首页 全部分类 IXFQ20N50P3 vs FDP22N50N

IXFQ20N50P3备选型号: FDP22N50N

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • IXYS
    IXFQ20N50P3
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    300m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 1.5mA
    1800pF @ 25V
    36nC @ 10V
    500V
    ±30V
    20A
    30V
    40A
    500V
    20.3mm
    15.8mm
    4.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP22N50N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 250μA
    3200pF @ 25V
    65nC @ 10V
    -
    ±30V
    22A
    30V
    88A
    -
    9.2mm
    9.9mm
    4.5mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    185mOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    312.5W
    50ns
    35 ns
    TO-220AB
    500V
    无铅
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FDP22N50N FDP22N50N ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 22A TO-220 对比