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首页 全部分类 IXFQ26N50P3 vs FDA28N50F

IXFQ26N50P3备选型号: FDA28N50F

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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFQ26N50P3
    IXYS
    MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    21 ns
    N-Channel
    230m Ω @ 13A, 10V
    5V @ 4mA
    2220pF @ 25V
    42nC @ 10V
    500V
    ±30V
    26A
    30V
    20.3mm
    15.8mm
    4.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDA28N50F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    67 ns
    N-Channel
    175m Ω @ 14A, 10V
    5V @ 250μA
    5387pF @ 25V
    105nC @ 10V
    -
    ±30V
    28A
    30V
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6.401g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    8541.29.00.95
    增强型MOSFET
    310W
    SWITCHING
    137ns
    101 ns
    0.175Ohm
    500V
    112A
    无
    无铅
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