IXFQ26N50P3
IXFQ26N50P3

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IXYS IXFQ26N50P3

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型号

IXFQ26N50P3

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXFQ26N50P3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-3P-3, SC-65-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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IXFQ26N50P3
IXFQ26N50P3 IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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IXFQ26N50P3详情

IXYS IXFQ26N50P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-3P-3, SC-65-3

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    26A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    500W Tc

  • Turn Off Delay Time

    38 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HiPerFET™, Polar3™

  • 已出版

    2005

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    21 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    230m Ω @ 13A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 4mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2220pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    42nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    26A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 高度

    20.3mm

  • 长度

    15.8mm

  • 宽度

    4.9mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: IXYS IXFQ26N50P3.

右边的3个型号有着和IXYS & IXFQ26N50P3相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Vgs (Max)
    查看对比:
  • IXFQ26N50P3

    IXFQ26N50P3

    Through Hole

    TO-3P-3, SC-65-3

    500V

    26 A

    26A (Tc)

    30 V

    500W (Tc)

    ±30V

  • FDA28N50F

    Through Hole

    TO-3P-3, SC-65-3

    -

    28 A

    28A (Tc)

    30 V

    310W (Tc)

    ±30V

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IXFQ26N50P3拓展信息

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