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首页 全部分类 IXFR120N20 vs IPP120N20NFDAKSA1

IXFR120N20备选型号: IPP120N20NFDAKSA1

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  • 辐射硬化
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  • Reach合规守则
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • IXYS
    IXFR120N20
    IXYS
    MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    105A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    e1
    yes
    Obsolete
    不适用
    3
    EAR99
    17MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    200V
    105A
    3
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    17m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 8mA
    9100pF @ 25V
    360nC @ 10V
    65ns
    ±20V
    35 ns
    105A
    20V
    200V
    480A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP120N20NFDAKSA1
    Infineon Technologies
    IPP120N20NFD Series 200 V 84 A OptiMOS?FD Power Transistor MOSFET - TO-220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    84A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    -
    12m Ω @ 84A, 10V
    4V @ 270μA
    6650pF @ 100V
    87nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    8 ns
    84A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    6.000006g
    not_compliant
    13 ns
    无卤素
    TO-220AB
    200V
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