IXFR21N100Q备选型号: SCT2280KEC

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    350W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    500m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 4mA
    5900pF @ 25V
    170nC @ 10V
    18ns
    1000V
    ±20V
    12 ns
    18A
    20V
    19A
    0.5Ohm
    1kV
    84A
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    14A Tc
    175°C TJ
    Tube
    -
    2012
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    364m Ω @ 4A, 18V
    4V @ 1.4mA
    667pF @ 800V
    36nC @ 18V
    19ns
    1200V
    +22V, -6V
    29 ns
    14A
    22V
    -
    -
    1.2kV
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    19 Weeks
    280mOhm
    19 ns
    4V
    4 V
    5.03mm
    15.9mm
    20.95mm
    Unknown
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