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首页 全部分类 IXFR50N50 vs FDH44N50

IXFR50N50备选型号: FDH44N50

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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFR50N50
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247
    ISOPLUS247™
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    400W Tc
    HiPerFET™
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    2002
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 8mA
    9400pF @ 25V
    330nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    43A
    20V
    0.1Ohm
    500V
    200A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDH44N50
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    44A Tc
    -
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    750W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    5335pF @ 25V
    108nC @ 10V
    84ns
    ±30V
    79 ns
    44A
    30V
    -
    500V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    7 Weeks
    6.39g
    通孔
    EAR99
    120mOhm
    500V
    44A
    16 ns
    3.15V
    500V
    3.15 V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    无铅
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