IXFR80N50Q3备选型号: FCH072N60F

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • IXYS
    MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    72MOhm
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    570W
    ISOLATED
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 40A, 10V
    6.5V @ 8mA
    10000pF @ 25V
    200nC @ 10V
    250ns
    ±30V
    50A
    30V
    45A
    500V
    240A
    5000 mJ
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 52A TO247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    481W
    -
    43 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    8660pF @ 100V
    215nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    52A
    20V
    -
    600V
    156A
    1128 mJ
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    25 ns
    TO-247AB
    0.072Ohm
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