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首页 全部分类 IXFX150N15 vs STY105NM50N

IXFX150N15备选型号: STY105NM50N

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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFX150N15
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    150A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2000
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    560W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    12.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 8mA
    9100pF @ 25V
    360nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    150A
    20V
    0.0125Ohm
    150V
    600A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STY105NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    -
    110A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    625W
    -
    N-Channel
    -
    22m Ω @ 52A, 10V
    4V @ 250μA
    9600pF @ 100V
    326nC @ 10V
    88ns
    ±25V
    70 ns
    110A
    25V
    -
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    22MOhm
    STY105
    47 ns
    500V
    无
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