IXFX180N085备选型号: IRFP4368PBF
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- 底架
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247通孔通孔TO-247-33PLUS247™-3180A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2000Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CSingle560WN-Channel7mOhm @ 500mA, 10V4V @ 8mA9100pF @ 25V320nC @ 10V90ns85V±20V55 ns180A20V85V9.1nF7mOhm7 mΩ符合RoHS标准---------------------
- MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC通孔通孔TO-247-33-195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008活跃1 (Unlimited)--Single520WN-Channel1.85m Ω @ 195A, 10V4V @ 250μA19230pF @ 50V570nC @ 10V220ns-±20V260 ns350A20V75V---ROHS3 Compliant12 WeeksSILICON3通孔EAR991.85MOhm增强型MOSFETDRAIN43 nsSWITCHING4VTO-247AC75V200 ns4 V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFP4310Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET NCH 100V 128A TO247AC | 对比 |
![]() | IRFP4368PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC | 对比 |





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