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首页 全部分类 IXFX180N25T vs IRFP4668PBF

IXFX180N25T备选型号: IRFP4668PBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFX180N25T
    IXYS
    MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GigaMOS™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    12.9m Ω @ 60A, 10V
    5V @ 8mA
    28000pF @ 25V
    345nC @ 10V
    250V
    ±20V
    180A
    0.0129Ohm
    500A
    250V
    3000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4668PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    250
    -
    30
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 81A, 10V
    5V @ 250μA
    10720pF @ 50V
    241nC @ 10V
    -
    ±30V
    130A
    -
    520A
    -
    760 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    通孔
    9.7MOhm
    1
    Single
    520W
    41 ns
    105ns
    74 ns
    5V
    TO-247AC
    30V
    200V
    200V
    175°C
    5 V
    24.99mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
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