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首页 全部分类 IXFX24N100 vs SCT3080KLGC11

IXFX24N100备选型号: SCT3080KLGC11

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • IXYS
    IXFX24N100
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2008
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    390mOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    560W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    390m Ω @ 12A, 10V
    5.5V @ 8mA
    8700pF @ 25V
    267nC @ 10V
    35ns
    1000V
    ±20V
    21 ns
    24A
    20V
    1kV
    96A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    SCT3080KLGC11
    ROHM Semiconductor
    MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
    21 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    31A Tc
    175°C TJ
    Tube
    -
    2018
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    165W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 10A, 18V
    5.6V @ 5mA
    785pF @ 800V
    60nC @ 18V
    -
    1200V
    +22V, -4V
    -
    31A
    -
    1.2kV
    77A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    SINGLE
    not_compliant
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    15 ns
    175°C
    25.5mm
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