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IXFX26N90备选型号: STW25N80K5
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247通孔通孔TO-247-33SILICON26A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2003e1yesObsolete1 (Unlimited)3300mOhmTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET560WDRAINN-ChannelSWITCHING300m Ω @ 13A, 10V5V @ 8mA10800pF @ 25V240nC @ 10V35ns±20V24 ns26A20V900V104A符合RoHS标准无铅----------
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247通孔通孔TO-247-33SILICON19.5A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH5™-e3-活跃1 (Unlimited)3260MOhmTin (Sn)-----Single增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING260m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 100μA1600pF @ 100V40nC @ 10V-±30V-19.5A30V800V78AROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 WeeksEAR99STW25N25 ns200 mJ20.15mm15.75mm5.15mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STW23N85K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 850V 19A TO-247 | 对比 |
| STW25N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247 | 对比 |
 | TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
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