IXFX32N80Q3备选型号: FCH104N60F

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • IXYS
    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    1kW
    DRAIN
    38 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 16A, 10V
    6.5V @ 4mA
    6940pF @ 25V
    140nC @ 10V
    300ns
    ±30V
    32A
    30V
    0.27Ohm
    800V
    80A
    3000 mJ
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    357W
    -
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 18.5A, 10V
    5V @ 250μA
    5950pF @ 100V
    139nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    37A
    5V
    -
    650V
    -
    809 mJ
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.39g
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    20 ns
    TO-247AB
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