IXFX64N60P3备选型号: FCH070N60E

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  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • IXYS
    MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
    30 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    247
    SILICON
    64A Tc
    2011
    HiPerFET™, Polar3™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.13kW
    DRAIN
    43 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    95m Ω @ 32A, 10V
    5V @ 4mA
    9900pF @ 25V
    145nC @ 10V
    17ns
    ±30V
    11 ns
    64A
    30V
    0.095Ohm
    600V
    160A
    1500 mJ
    5.21mm
    16.13mm
    21.34mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 52A
    12 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    -
    -
    52A Tc
    -
    SuperFET® II
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    70m Ω @ 26A, 10V
    3.5V @ 250μA
    4925pF @ 380V
    166nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    52A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    not_compliant
    未说明
    600V
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