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IXGA30N60C3C1备选型号: FGB3040CS
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- 配置
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- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
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- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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- 最大击穿电压
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- 长度
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IGBT 600V 60A 220W TO26324 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.59999gSILICON600V2.6V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99PURE TIN220WSINGLE鸥翼未说明unknown未说明IXG*30N604R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE220WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL3V60A37 ns3V @ 15V, 20A160 nsPT38nC150A17ns/42ns120μJ (on), 90μJ (off)20V5.5V无SVHCROHS3 Compliant------------
IGBT 430V 21A 150W TO263-67 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB61.312gSILICON430V--40°C~175°C TJTape & Reel (TR)EcoSPARK®2016e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)150W-鸥翼---FGB3040----150W-Logic-N-CHANNEL1.85V21A2100 ns1.6V @ 4V, 6A7300 ns-15nC--/4.7μs--2.2V-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)17000nsSingle600 ns400V430V4.7mm10.1mm9.4mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXGA30N120B3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N120B3 IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins | 对比 |
 | IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT | 对比 |
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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