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IXGA30N60C3C1备选型号: IKB20N60TATMA1
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- 基本部件号
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- 晶体管应用
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- 最大集电极电流
- 接通时间
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- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 元素配置
- 功率 - 最大
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- 反向恢复时间
- 辐射硬化
- 无铅
IGBT 600V 60A 220W TO26324 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.59999gSILICON600V2.6V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99PURE TIN220WSINGLE鸥翼未说明unknown未说明IXG*30N604R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE220WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL3V60A37 ns3V @ 15V, 20A160 nsPT38nC150A17ns/42ns120μJ (on), 90μJ (off)20V5.5V无SVHCROHS3 Compliant------
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-26316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON600V--40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop®2008e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)166W-鸥翼----4R-PSSO-G2---COLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V40A36 ns2.05V @ 15V, 20A299 ns沟渠现场停车120nC60A18ns/199ns770μJ--无SVHCROHS3 CompliantSingle166W无卤素41 ns无含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXGA30N120B3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N120B3 IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins | 对比 |
| IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT | 对比 |
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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