IXGH12N100备选型号: IGW30N100TFKSA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 元素配置
- IGBT类型
- IGBT 1000V 24A 100W TO247AD通孔通孔TO-247-3SILICON1kV-55°C~150°C TJTube2000e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)100WSINGLE未说明未说明IXG*12N1003R-PSFM-T3不合格SINGLECOLLECTORStandard100W电源控制N-CHANNEL3.5V24ATO-247AD1000V300 ns3.5V @ 15V, 12A2150 ns65nC48A100ns/850ns2.5mJ (off)20V5.5VROHS3 Compliant无铅------
- IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech通孔通孔TO-247-3SILICON1kV-55°C~175°C TJTube2008e3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)412W-未说明未说明-3-不合格--Standard412W电源控制N-CHANNEL1.9V60ATO-247AD1000V54 ns1.9V @ 15V, 30A569 ns217nC90A33ns/535ns3.8mJ--符合RoHS标准无铅14 Weeks3TrenchStop®EAR99Single沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | 对比 |
![]() | IXGH10N100A | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1000V 20A 100W TO247AD | 对比 |
![]() | IXGH10N100 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1000V 20A 100W TO247AD | 对比 |




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