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首页 全部分类 IXGH20N120A3 vs IRG7PH35UDPBF

IXGH20N120A3备选型号: IRG7PH35UDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
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  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGH20N120A3
    IXYS
    IGBT 1200V 40A 180W TO247
    26 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    2.3V
    2001
    GenX3™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    180W
    未说明
    未说明
    IXG*20N120
    3
    不合格
    Single
    180W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    40A
    TO-247AD
    1200V
    66 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    1530 ns
    PT
    50nC
    120A
    16ns/290ns
    2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
    16 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    2010
    -
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    180W
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    180W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    TO-247AC
    1200V
    45 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    -
    6V
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    30 ns
    105 ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无
    无铅
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