IXGH32N100A3备选型号: IGW30N100TFKSA1
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- ECCN 代码
- 元素配置
- 无铅
- IGBT 1000V 75A 300W TO247ADTO-247-3通孔通孔SILICON800V, 32A, 10 Ω, 15V2008GenX3™Tube-55°C~150°C TJe1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)UL 认证300WSINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLECOLLECTORStandard300W通用开关N-CHANNEL2.2V75ATO-247AD1000V75 ns2.2V @ 15V, 32A1170 nsPT87nC200A24ns/385ns2.6mJ (on), 9.5mJ (off)ROHS3 Compliant-----
- IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop techTO-247-3通孔通孔SILICON1kV2008TrenchStop®Tube-55°C~175°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)-412W-未说明未说明3-不合格--Standard412W电源控制N-CHANNEL1.9V60ATO-247AD1000V54 ns1.9V @ 15V, 30A569 ns沟渠现场停车217nC90A33ns/535ns3.8mJ符合RoHS标准14 Weeks3EAR99Single无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG7PG35UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1000V 55A 210W TO247AC | 对比 |
![]() | IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | 对比 |
![]() | IRG7PG35U-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1000V 55A 210W TO247AD | 对比 |






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