您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXGH32N90B2 vs IRG4PF50WPBF

IXGH32N90B2备选型号: IRG4PF50WPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGH32N90B2
    IXYS
    IGBT 900V 64A 300W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFAST™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    300W
    未说明
    未说明
    IXG*32N90
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    300W
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    64A
    TO-247AD
    42 ns
    2.7V @ 15V, 32A
    690 ns
    PT
    89nC
    200A
    20ns/260ns
    2.6mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PF50WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 900V 51A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2004
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    200W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    51A
    TO-247AC
    54 ns
    2.7V @ 15V, 28A
    370 ns
    -
    160nC
    204A
    29ns/110ns
    190μJ (on), 1.06mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    3
    2.25V
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    SINGLE
    51A
    200W
    29 ns
    26ns
    20V
    6V
    220ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APT35GA90B APT35GA90B Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 900V 63A 290W TO-247 对比
APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 900V 63A 290W TO247 对比
IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 900V 51A 200W TO247AC 对比