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首页 全部分类 IXGH36N60A3D4 vs STGW19NC60HD

IXGH36N60A3D4备选型号: STGW19NC60HD

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • ECCN 代码
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGH36N60A3D4
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    220W
    未说明
    未说明
    IXG*36N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    36A
    3ns
    TO-247AD
    43 ns
    1.4V @ 15V, 30A
    1000 ns
    PT
    80nC
    200A
    18ns/330ns
    740μJ (on), 3mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW19NC60HD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 42A 140W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    140W
    -
    -
    STGW19
    3
    R-PSFM-T3
    -
    Single
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    42A
    31 ns
    TO-247AC
    32 ns
    2.5V @ 15V, 12A
    272 ns
    -
    53nC
    60A
    25ns/97ns
    85μJ (on), 189μJ (off)
    20V
    5.75V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    EAR99
    25 ns
    140W
    无
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